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1）半导体压敏电阻式进气压力传感器的结构。

        半导体压敏电阻式进气压力传感器是利用半导体的压阻效应制成的，主要由硅膜片、真空室、硅杯、底座、真空管和引线电极组成，其内部结构如图4-8所示。

图4-8  半导体压敏电阻式进气压力传感器结构 

2）半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原理。

        半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原理如图4-9所示，硅膜片一面通过真空室，一面承受来自进气歧管中气体的压力，在此气体压力的作用下，硅膜片会产生变形，且压力越大形变越大，膜片上应变电阻的阻值在此压应力的作用下就会发生变化，使传感器上以惠斯顿电桥方式连接的硅膜片应变电阻的平衡被打破，当电桥的输入端输入一定的电压或电流时，在电桥的输出端便可得到相应变化的信号电压或信号电流，因为此信号比较微弱，故采用了混合集成电路进行放大后输入给ECU。

        因为压阻效应式歧管压力传感器的功能部件是硅膜片和应变电阻，其工作参数取决于作用于膜片上的压力的大小，因此传感器的取样压力应从压力波动较小的部位选取。如桑塔纳2000系列轿车的进气压力都从稳压箱处选取，可以避免压力波动对检测信号的影响。

图4-9 半导体压敏电阻式进气压力传感器的工作原